Art. 2o
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fabricante:
Ampleon EUA Inc.
Descrição:
RF Power Discrete Transistors
Categoria:
Semicondutores eletrónicos
Especificações
Categoria de produtos::
Amplificador de RF
Type ::
RF Power Discrete Transistors
Ganho (dB)::
28,4
Output Power (W) ::
2000
Frequency Min (GHz) ::
0.001
Process ::
LDMOS
Frequency Max (GHz) ::
0.4
Manufacturer ::
Ampleon USA Inc.
Introdução
O ART2K0FEGJ, da Ampleon USA Inc., é um amplificador de RF. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
BLA9H0912L-250U
RF Power Discrete Transistors
C4H10P600AY
RF Power Discrete Transistors
BLF8G22LS-160BV,11
RF Power Discrete Transistors
BLP10H660PGY
RF Power Discrete Transistors
BLS7G2730LS-200PU
RF Power Discrete Transistors
BLP05H6700XRY
RF Power Discrete Transistors
BLS9G2731LS-400U
RF Power Discrete Transistors
BLC10G22XS-400AVTZ
RF Power Discrete Transistors
BLF6G22LS-100.112
RF Power Discrete Transistors
BLC9G27XS-380AVTZ
RF Power Discrete Transistors
| Imagem | parte # | Descrição | |
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BLA9H0912L-250U |
RF Power Discrete Transistors
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C4H10P600AY |
RF Power Discrete Transistors
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BLF8G22LS-160BV,11 |
RF Power Discrete Transistors
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BLP10H660PGY |
RF Power Discrete Transistors
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BLS7G2730LS-200PU |
RF Power Discrete Transistors
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BLP05H6700XRY |
RF Power Discrete Transistors
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BLS9G2731LS-400U |
RF Power Discrete Transistors
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BLC10G22XS-400AVTZ |
RF Power Discrete Transistors
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BLF6G22LS-100.112 |
RF Power Discrete Transistors
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BLC9G27XS-380AVTZ |
RF Power Discrete Transistors
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