BLF8G22LS-160BV,11
![qualidade [#varpname#] fábrica](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
fabricante:
Ampleon EUA Inc.
Descrição:
RF Power Discrete Transistors
Categoria:
Semicondutores eletrónicos
Especificações
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
18
Output Power (W) ::
160
Frequency Min (GHz) ::
2
Process ::
LDMOS
Frequency Max (GHz) ::
2.2
Manufacturer ::
Ampleon USA Inc.
Introdução
O BLF8G22LS-160BV,11, da Ampleon USA Inc., é RF Amplifier. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
BLA9H0912L-250U
RF Power Discrete Transistors
C4H10P600AY
RF Power Discrete Transistors
BLP10H660PGY
RF Power Discrete Transistors
BLS7G2730LS-200PU
RF Power Discrete Transistors
BLP05H6700XRY
RF Power Discrete Transistors
BLS9G2731LS-400U
RF Power Discrete Transistors
BLC10G22XS-400AVTZ
RF Power Discrete Transistors
BLF6G22LS-100.112
RF Power Discrete Transistors
BLC9G27XS-380AVTZ
RF Power Discrete Transistors
BLF984PSU
RF Power Discrete Transistors
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
|
|
BLA9H0912L-250U |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
C4H10P600AY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLP10H660PGY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLS7G2730LS-200PU |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLP05H6700XRY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLS9G2731LS-400U |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLC10G22XS-400AVTZ |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLF6G22LS-100.112 |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLC9G27XS-380AVTZ |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLF984PSU |
RF Power Discrete Transistors
|
Envie o RFQ
Conservado em estoque:
MOQ: