BFP420H6327XTSA1 Infineon NPN Transistores de RRF de Silício
Número da parte: BFP420H6327XTSA1
Resumo do produto:OBFP420H6327XTSA1é um sistema de alta performanceTransistores de RF NPNEste componente foi concebido para aplicações que exigem baixo ruído, elevado ganho e desempenho de alta velocidade em embalagens compactas.
Características principais:
- Tipo: Transistor RF NPN
- Frequência de transição (ft): 25 GHz
- Figura de ruído (NF): 00,75 dB a 2 GHz
- Ganho (Gmax): 21 dB a 1,8 GHz
- Voltagem colector-emissor (Vce): 2V
- Corrente do colector (Ic): 20 mA
- Tipo de embalagem: SOT-343
- Dissipação de potência (Ptot): 150 mW
- Intervalo de temperatura de funcionamento: -65°C a +150°C
- Conformidade: Compatível com a RoHS
Áreas de aplicação:
- Amplificadores de baixo ruído:Ideal para utilização em circuitos de amplificadores de baixo ruído devido ao seu baixo ruído.
- Osciladores de alta frequência:Adequado para aplicações de osciladores de alta frequência em sistemas de comunicação.
- Amplificadores de RF:Utilizado em circuitos de amplificadores de RF para amplificação de sinal reforçada.
- Telecomunicações:Fornece desempenho fiável em dispositivos e sistemas de telecomunicações.
- Equipamento de ensaio e medição:Assegura medições precisas e precisas no equipamento de ensaio.
Instalação e utilização:
OBFP420H6327XTSA1O pacote SOT-343 permite a montagem de tecnologia de montagem de superfície compacta (SMT) em placas de circuito impresso (PCBs).O manuseio e a instalação adequados são essenciais para maximizar o desempenho e a confiabilidade.
Razões para escolher o BFP420H6327XTSA1:
Escolhendo oBFP420H6327XTSA1Acompanhe o seu médico.Transistor RF NPN de alta qualidadecomExcelente desempenho e fiabilidadeEste componente aumentará a eficiência e a funcionalidade dos seus sistemas electrónicos, proporcionandoruído baixo,ganho elevado, edesempenho de alta velocidade.
Compre o BFP420H6327XTSA1 hoje para otimizar seus projetos eletrônicos e garantir desempenho e confiabilidade superiores!
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IRF9328TRPBF Infineon MOSFET de potência HEXFET de canal único P
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IRFR220NTRPBF Infineon MOSFET IR de canal N único
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IRFR9120NTRPBF Infineon MOSFET IR de canal único P
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IRLML2060TRPBF Infineon MOSFET de potência HEXFET de canal N único
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IRF540NSTRRPBF Infineon IR MOSFET 100 V numa embalagem D2PAK
Imagem | parte # | Descrição | |
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IRF9328TRPBF Infineon MOSFET de potência HEXFET de canal único P |
IRF9328TRPBF IRF9328 30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 package
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IRFR220NTRPBF Infineon MOSFET IR de canal N único |
IRFR220NTRPBF IRFR220N 200V Single N-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
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IRFR9120NTRPBF Infineon MOSFET IR de canal único P |
IRFR9120NTRPBF IRFR9120N 100V Single P-Channel IR MOSFET in a D-Pak package
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IRLML2060TRPBF Infineon MOSFET de potência HEXFET de canal N único |
IRLML2060TRPBF IRLML2060 60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Micro 3 package
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IRF540NSTRRPBF Infineon IR MOSFET 100 V numa embalagem D2PAK |
IRF540NSTRRPBF IRF540NS 100V33A IR MOSFET
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