PTFA092201F V4 R250
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fabricante:
Tecnologias Infineon
Descrição:
RF MOSFET Transistors Hi Pwr RF LDMOS FET 220 W 920-960 MHZ
Categoria:
Semicondutores eletrónicos
Especificações
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
Si
Product Category ::
RF MOSFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
18.5 dB
Output Power ::
55 W
Package / Case ::
H-37260-2
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
65 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
1.85 A
Rds On - Drain-Source Resistance ::
0.04 Ohms at 10 V
Manufacturer ::
Infineon Technologies
Introdução
O PTFA092201F V4 R250, da Infineon Technologies, são transistores MOSFET RF. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
| Imagem | parte # | Descrição | |
|---|---|---|---|
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Infineon Technologies RF Semicondutores BAR 64-06W H6327 |
PIN Diodes RF DIODE
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Conservado em estoque:
MOQ: