NPT1012B
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fabricante:
MACOM
Descrição:
Transistores RF JFET DC-4.0GHz P1dB 43dBm Ganho 13dB GaN
Categoria:
Semicondutores eletrónicos
Especificações
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
13 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
44 W
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 200 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 mA
Vgs - Voltagem de ruptura da porta de saída::
3 V
Manufacturer ::
MACOM
Introdução
O NPT1012B, da MACOM, é um transistor RF JFET. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
MACOM Rf Em Semicondutor MADP-007167-0287AT
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
MADP-007433-12790T 1,5 Ohms RF Semicondutores 0,35 pF 75 V
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
| Imagem | parte # | Descrição | |
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MACOM Rf Em Semicondutor MADP-007167-0287AT |
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
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MADP-007433-12790T 1,5 Ohms RF Semicondutores 0,35 pF 75 V |
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
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