T1G3000532-SM
Especificações
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Estilo de montagem::
SMD/SMT
Gain ::
15.7 dB
Tipo de transistor::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
9.1 W
Package / Case ::
QFN-32
Output Power ::
5.7 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
0.6 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.7 V
Manufacturer ::
Qorvo
Introdução
O T1G3000532-SM, da Qorvo, são transistores RF JFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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