QPD1008L
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fabricante:
Qorvo
Descrição:
RF JFET Transistors DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
Categoria:
Semicondutores eletrónicos
Especificações
Polaridade do transistor::
N-canal
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Ganho::
17.5 dB
Transistor Type ::
HEMT
Potência de saída::
162 W
Package / Case ::
NI-360
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Pd - Power Dissipation ::
127 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introdução
O QPD1008L, da Qorvo, são transistores RF JFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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