T1G6001032-SM
Especificações
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Categoria de produtos::
Transistores RF JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
Ganho::
DB 19
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
16 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 2.9 V
Id - Continuous Drain Current ::
1.2 A
Manufacturer ::
Qorvo
Introdução
O T1G6001032-SM, da Qorvo, são transistores RF JFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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