NE3508M04-T2-A
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fabricante:
CEL
Descrição:
RF JFET Transistors L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Categoria:
Semicondutores eletrónicos
Especificações
Polaridade do transistor::
N-canal
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Ganho::
DB 14
Transistor Type ::
HFET
Paládio - dissipação de poder::
175 mW
Package / Case ::
FTSMM-4 (M04)
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
4 V
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
120 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 3 V
Manufacturer ::
CEL
Introdução
O NE3508M04-T2-A, da CEL, são os transistores RF JFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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