TGF2929-HM
Especificações
Transistor Polarity ::
N-Channel
Tecnologia::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Estilo de montagem::
SMD/SMT
Gain ::
17.4 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
132 W
Package / Case ::
Flange Ceramic-2
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Waffle
Id - Continuous Drain Current ::
7.2 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 2.8 V
Pd - Power Dissipation ::
140 W
Manufacturer ::
Qorvo
Introdução
O TGF2929-HM, da Qorvo, são transistores RF JFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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