TGF2018
Especificações
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 15 V
Tecnologia::
Gaas
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
14 dB
Tipo de transistor::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
0.64 W
Temperatura máxima de funcionamento::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Gel Pack
Maximum Drain Gate Voltage ::
12 V
Id - Continuous Drain Current ::
58 mA
Manufacturer ::
Qorvo
Introdução
O TGF2018, da Qorvo, são transistores RF JFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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