CGHV50200F

fabricante:
Wolfspeed/Cree
Descrição:
RF JFET Transistors GaN HEMT 4.4-5.0GHz, 200 Watt
Categoria:
Semicondutores eletrónicos
Especificações
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
11.5 dB
Tipo de transistor::
HEMT
Output Power ::
180 W
Package / Case ::
4402015
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Tensão de ruptura da fonte de descarga::
150 V
Packaging ::
Tray
Voltagem máxima de escoamento::
-
Id - Continuous Drain Current ::
17 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 10 V to + 2 V
Pd - Power Dissipation ::
-
Manufacturer ::
Wolfspeed / Cree
Introdução
O CGHV50200F, da Wolfspeed/Cree, são transistores RF JFET. O que oferecemos tem preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
PRODUTOS CONEXOS
Imagem parte # Descrição
qualidade CGHV35150F fábrica

CGHV35150F

RF JFET Transistors GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
qualidade CGHV60040D fábrica

CGHV60040D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 40 Watt
qualidade CGH40120F fábrica

CGH40120F

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
qualidade CGHV96050F2 fábrica

CGHV96050F2

RF JFET Transistors GaN HEMT 7.9-9.6GHz, 50 Watt
qualidade CGH40090PP fábrica

CGH40090PP

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
qualidade CGHV1J025D fábrica

CGHV1J025D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
qualidade CGHV27015S fábrica

CGHV27015S

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 15 Watt
qualidade CGH27060F fábrica

CGH27060F

RF JFET Transistors GaN HEMT VHF-3.0GHz, 60 Watt
qualidade CGHV40050F fábrica

CGHV40050F

RF JFET Transistors GaN HEMT DC-4.0GHz, 50 Watt
qualidade CGH60060D fábrica

CGH60060D

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
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