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A3T19H455W23SR6

fabricante:
NXP USA Inc.
Descrição:
RF Power Discrete Transistors
Categoria:
Semicondutores eletrónicos
Especificações
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
16.4
Avg Power (W) ::
81
Frequency Min (GHz) ::
1.93
Process ::
LDMOS
Frequency Max (GHz) ::
1.99
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
Introdução
O A3T19H455W23SR6, da NXP USA Inc., é um amplificador de RF. O que oferecemos tem um preço competitivo no mercado global, que são em peças originais e novas.Se pretender saber mais sobre os produtos ou solicitar um preço mais baixo, por favor, contacte-nos através do chat on-line ou envie-nos um orçamento!
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