O HMC590LP5E é um amplificador de potência GaAs pHEMT MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) de alto desempenho projetado pela Analog Devices

OHMC590LP5Eé um sistema de alta performanceGaAs pHEMT MMIC (Monolithic Microwave Integrated Circuit) amplificador de potênciaconcebido pela Analog Devices para aplicações na gama de frequências de6 GHz a 9,5 GHzAbaixo está um resumo completo das suas principais especificações e características:

Principais especificações:

1. Faixa de frequência:6 GHz a 9,5 GHz.
2. Potência de saída:
   • P1dB (ponto de compressão de 1 dB):+29 dBm.
   • Potência de saída saturada (Psat):+31 dBm (1 watt).
3. Ganho:21 dB (típico).
4. Eficiência agregada de energia (EAP):23% na potência máxima.
5. Voltagem de abastecimento de drenagem (Vdd):+7V (típico).
6. Corrente de alimentação:820 mA a 7 V.
7. Perda de retorno de entrada:15 dB (típico).
8. Interceptação de saída de terceira ordem (OIP3):+42 dBm (típico).
9. Tipo de embalagem:QFN de 32 leads (5 mm x 5 mm) para aplicações de montagem em superfície.
10. Intervalo de temperatura de funcionamento:-55°C a +85°C.

Características:

• Combinação integrada de E/S de 50Ω:Simplifica a concepção do sistema eliminando componentes externos de correspondência.
• Alta linearidade:Assegura um desempenho fiável em aplicações que exijam baixa distorção.
• Design robusto:Resiste a ± 200 V ESD (HBM) e suporta uma elevada dissipação térmica.

Aplicações:

• Rádios de microondas e ligações ponto a ponto:Melhora a comunicação de longo alcance com alta potência de saída e baixo ruído.
• Sistemas militares e aeroespaciais:Adequado para radar e sistemas de comunicação seguros.
• Instrumentação:Utilizado em equipamentos de ensaio de RF que exijam precisão e potência.

Vantagens:

• Design compacto:Ideal para circuitos de RF com espaço limitado.
• Eficiência:Oferece um elevado ganho e potência de saída com excelente gestão térmica.